Semi-conducteurs. Page 173 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRF530 à IRF710 (Page 173 sur 485)

Transistor IRF530

2.69€ TTC

142 En stock

Transistor IRF530 N-MOS 100V 14A 90W <0.16R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.16.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF5305

3.70€ TTC

51 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF530N

3.53€ TTC

110 En stock

Transistor IRF530N N-MOS 100V 17A 70W <0.09R(12A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.09.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF540

4.03€ TTC

101 En stock

Transistor IRF540 N-MOS 100V 28A/110Ap 150W 0.077R (20A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF540N

2.69€ TTC

560 En stock

Transistor IRF540N N-MOS 100V 33A/110Ap 130W 0.044R (23A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <44mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 23 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF540NS

4.03€ TTC

50 En stock

Transistor IRF540NS N-MOS 100V 33A/110Ap 3.8W/140W*<0.052R(23A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant impulsion: 110 Ap. Puissance: 3.8 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF540Z

3.81€ TTC

395 En stock

Transistor IRF540Z N-MOS+Z 100V 36A/140Ap 92W<0.021R(25A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <21mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF610

2.41€ TTC

64 En stock

Transistor IRF610 N-MOS 200V 3.3A 36W<1.5R(2.1A). VGS @10V. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Puissance dissipable. 36 W. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 1.5 Ohm

Tarifs dégressifs

Transistor IRF620

2.69€ TTC

47 En stock

Transistor IRF620 N-MOS 200V 5.2A 50W <0.8R(3.1A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.1 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 50 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF6215

4.20€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal P 150V 13A/44Ap 110W 0.29R (9A)

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF6215SPBF

5.15€ TTC

33 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 150V 13A/44Ap 110W. Résistance passante RDSon : 0.29 Ohms (9A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF630

2.86€ TTC

253 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 9A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 9A. Puissance: 75W. Résistance Rds: 0.35 Ohms. MESH OVERLAY MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF630B

3.70€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF630B N-MOS 200V 9A/36Ap.72W 0.34R(5.7A). N-Channel MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.34.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRF630FP

3.19€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 9A/36Ap.35W. Résistance passante RDSon : 0.4 Ohms (5.4A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF634

3.25€ TTC

28 En stock

Transistor IRF634 N-MOS 250V 8.1A 74W <0.45R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.45. Puissance: 74 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF634B

3.53€ TTC

21 En stock

Transistor IRF634B N-MOS 250V 8.1A 74W <0.348R(5.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.1 A. Rds (Ohms): 0.348. Puissance: 74 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF640

4.03€ TTC

32 En stock

Transistor IRF640 N-MOS 200V 18A/72Ap. 125W 0.18R(11A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF640N

3.25€ TTC

195 En stock

Transistor IRF640N N-MOS 200V 18A/72Ap. 150W 0.15R(13A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF644

5.04€ TTC

150 En stock

Transistor IRF644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.28.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF6645TRPBF

9.97€ TTC

21 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 5.7A. Puissance: 42W. Rds: 0.028 Ohm. DirectFET POWER MOSFET. Boîtier: ISOMETRIC.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF710

3.25€ TTC

49 En stock

Transistor IRF710 N-MOS 400V 2A 36W <3.6R (1.2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.2 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 36 W

Tarifs dégressifs

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Transistor IRF530

Transistor IRF530 N-MOS 100V 14A 90W <0.16R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.16.

Transistor IRF5305

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF530N

Transistor IRF530N N-MOS 100V 17A 70W <0.09R(12A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.09.

Transistor IRF540

Transistor IRF540 N-MOS 100V 28A/110Ap 150W 0.077R (20A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRF540N

Transistor IRF540N N-MOS 100V 33A/110Ap 130W 0.044R (23A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <44mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 23 A.

Transistor IRF540NS

Transistor IRF540NS N-MOS 100V 33A/110Ap 3.8W/140W*<0.052R(23A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant impulsion: 110 Ap. Puissance: 3.8 W

Transistor IRF540Z

Transistor IRF540Z N-MOS+Z 100V 36A/140Ap 92W<0.021R(25A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <21mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A.

Transistor IRF610

Transistor IRF610 N-MOS 200V 3.3A 36W<1.5R(2.1A). VGS @10V. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Puissance dissipable. 36 W. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 1.5 Ohm

Transistor IRF620

Transistor IRF620 N-MOS 200V 5.2A 50W <0.8R(3.1A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.1 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 50 W

Transistor IRF6215

Transistor MOSFET canal P 150V 13A/44Ap 110W 0.29R (9A)

Transistor MOSFET canal-P IRF6215SPBF

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 150V 13A/44Ap 110W. Résistance passante RDSon : 0.29 Ohms (9A)

Transistor IRF630

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 9A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 9A. Puissance: 75W. Résistance Rds: 0.35 Ohms. MESH OVERLAY MOSFET.

Transistor IRF630B

Transistor IRF630B N-MOS 200V 9A/36Ap.72W 0.34R(5.7A). N-Channel MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.34.

Transistor MOSFET canal-N IRF630FP

Transistor MOSFET canal-N 200V 9A/36Ap.35W. Résistance passante RDSon : 0.4 Ohms (5.4A)

Transistor IRF634

Transistor IRF634 N-MOS 250V 8.1A 74W <0.45R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.45. Puissance: 74 W

Transistor IRF634B

Transistor IRF634B N-MOS 250V 8.1A 74W <0.348R(5.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.1 A. Rds (Ohms): 0.348. Puissance: 74 W

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Transistor IRF640N N-MOS 200V 18A/72Ap. 150W 0.15R(13A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A.

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